Amplificateur Hi-Fi à MOSFET 2 x 200 W/4 Ω ou 350 W/8 Ω en pont

Cet amplificateur audio de très haut de gamme est entièrement réalisé en composants discrets. Grâce à son étage driver fonctionnant en classe A et son étage de sortie à transistor MOSFET en classe AB, nous obtenons une architecture d’amplification performante qui procure une qualité sonore proche de celle des amplis à lampes. L’utilisation de 6 transistors MOSFET en parallèle nous permet d’obtenir jusqu’à 2 x 200 Wrms sous 4 Ω avec une distorsion harmonique inférieure à 0,05% (350 Wrms en pont sous 8 Ω).
 
Caractéristiques techniques :
Puissance de sortie : 100 Wrms sous 8 Ω / 200 Wrms sous 4 Ω
Distorsion harmonique : 0,05 % à 100 Wrms sous 4 Ω
Bande passante : 10 Hz à 90 000 Hz à – 3dB
Slew rate (temps de montée) : 11 V/µs minimum
Bruit total en tension à l’entrée : 1,2 µVrms
Rapport signal/bruit : 110 dB à 100 Wrms sous 4 Ω
Sensibilité d’entrée : 900 mVrms pour Psortie = Pmax
Gain en tension : 30 dB
Courant de repos : 120 mA
Tension d’alimentation : ± 60 V
Publié dans Magazine N°127 Electronique & Loisirs Magazine Eté 2014