Nexperia Élargit son Portefeuille de MOSFET SiC avec un Packaging D2PAK-7 Haute Performance

 Nexperia dévoile ses nouveaux MOSFET SiC 1200 V en packaging D2PAK-7, offrant une haute performance et une grande stabilité thermique pour des applications comme la charge VE et les systèmes solaires.

Nexperia Élargit son Portefeuille de MOSFET SiC avec un Packaging D2PAK-7

Nexperia, un leader dans l'innovation en électronique de puissance, vient d'annoncer la disponibilité de MOSFET en carbure de silicium (SiC) 1200 V dans un packaging D2PAK-7 monté en surface (SMD). Avec des valeurs de RDS (on) allant de 30 à 80 mΩ, cette nouvelle offre représente une expansion significative du portefeuille de MOSFET SiC de Nexperia. Suite à l'introduction des MOSFET SiC en boîtier TO-247 fin 2023, ce lancement souligne l'engagement de Nexperia à proposer une gamme diversifiée de solutions pour les applications de puissance.

Caractéristiques Clés

Les nouveaux MOSFET NSF0xx120D7A0 de Nexperia répondent à la demande croissante de commutateurs SiC haute performance dans des boîtiers SMD compacts tels que le D2PAK-7. Ces boîtiers gagnent en popularité dans divers secteurs industriels, y compris les infrastructures de charge des véhicules électriques (VE), les alimentations sans interruption (ASI), et les onduleurs pour systèmes solaires et de stockage d'énergie (ESS).

Ces MOSFET SiC se distinguent par leur stabilité thermique améliorée. Contrairement à de nombreux dispositifs SiC dont les valeurs de RDS (on) peuvent augmenter de plus de 100 % dans une plage de température de 25 °C à 175 °C, ces MOSFET ne connaissent qu'une augmentation de 38 %. De plus, ces MOSFET présentent une spécification de tension de seuil (VGS (th)) stricte, garantissant une performance équilibrée du courant lorsque plusieurs MOSFET sont connectés en parallèle. Leur faible tension de diode de corps (VSD) améliore également la robustesse et l'efficacité des dispositifs, tout en réduisant le besoin de temps mort pendant l'opération de roue libre.

Avantages pour les Applications Industrielles

1. Charge des Véhicules Électriques (VE) : Les MOSFET SiC de Nexperia dans des boîtiers D2PAK-7 sont idéaux pour les stations de charge VE, offrant des performances élevées et une grande fiabilité.
2. Alimentations Sans Interruption (ASI) : Grâce à leur stabilité thermique et leur faible RDS (on), ces MOSFET assurent une alimentation continue et efficace, essentielle pour les systèmes ASI.
3. Systèmes Solaires et de Stockage d'Énergie (ESS) : Les onduleurs pour ESS bénéficieront de la faible tension de diode de corps et de l'efficacité accrue, maximisant la conversion et le stockage de l'énergie solaire.

Conclusion

Avec cette nouvelle gamme de MOSFET SiC en packaging D2PAK-7, Nexperia continue de mener l'innovation en électronique de puissance. Ces dispositifs offrent des solutions robustes et efficaces pour diverses applications industrielles, répondant aux besoins croissants en commutateurs haute performance et compactes.